Оценка и нормирование ЭМП осуществляется по величине энергетической экспозиции (ЭЭ). Энергетическая экспозиция ЭМП определяется как произведение квадрата напряженности электрического или магнитного поля на время воздействия на человека. Предельно допустимые уровни энергетических экспозиций (ЭЭПДУ) на рабочих местах персонала за смену приведены в таблице 7. [ГОСТ 12.1.006-84]
Табл.7
Параметр |
ЭЭПДУ в диапазонах частот, МГц | |
0,03-3,0 |
3,0-30,0 | |
ЭЭE, (В/м) 2·ч |
20000 |
7000 |
ЭЭH, (А/м) 2·ч |
200 |
------ |
ЭЭППЭ, мкВт/см2 |
------ |
------ |
Максимальные допустимые уровни напряженности электрического и магнитного полей, плотности потока энергии ЭМП не должны превышать значений, представленных в таблице 8.
Табл.8
Параметр |
ЭЭПДУ в диапазонах частот, МГц | |
0,03-3,0 |
3,0-30,0 | |
Е, (В/м) 2 |
500 |
295 |
H, (A/м) 2 |
50 |
------ |
ППЭ, мкВт/см2 |
------ |
------ |
Значения предельно допустимых уровней напряженности электрической (ЕПДУ), магнитной (НПДУ) составляющих и плотности потока энергии (ППЭПДУ) в зависимости от продолжительности воздействия ЭМИ радиочастот приведены в таблице 9 [7].
Табл.9
Продолжительность |
ЕПДУ, В/м |
НПДУ, А/м | |
воздействия T, ч |
0,03-3 МГц |
3-30 МГц |
0,03-3 МГц |
8 и более |
50 |
30 |
5 |
7,5 |
52 |
31 |
5 |
7 |
53 |
32 |
5,3 |
6,5 |
55 |
33 |
5,5 |
6 |
58 |
34 |
5,8 |
5,5 |
60 |
36 |
6 |
5 |
63 |
37 |
6,3 |
4,5 |
67 |
39 |
6,7 |
4 |
71 |
42 |
7,1 |
3,5 |
76 |
45 |
7,6 |
3 |
82 |
48 |
8,2 |
2,5 |
89 |
52 |
8,9 |
2 |
100 |
59 |
9,1 |
1,5 |
115 |
68 |
11,5 |
1 |
141 |
84 |
14,2 |
0,5 |
200 |
118 |
20 |
0,25 |
283 |
168 |
28,3 |
0,125 |
400 |
236 |
40 |
0,08 и менее |
500 |
296 |
50 |
Стробируемый двухпороговый компаратор c третьим состоянием
Целью данного курсового проекта является проектирование
стробируемогодвухпорогового компаратора, удовлетворяющего заданным параметрам:
тип логики, тактовая частота логических элементов, коэффициент усиления,
частота сопряжения. А так ...
Разработка цифрового вольтметра
Современный этап научно-технического прогресса характеризуется
повсеместным внедрением принципиально новой техники. Ускорение
научно-технического прогресса в значительной степени зависит от успехов
современной микроэлектроники, я ...