Технические разделы

Проектирование блока питания

Блок питания в общем случае содержит 4 канала: источники Е+ и Е

для питания выходного каскада и источники U+ и U

питания ОУ. Стабилизаторы рассчитываются на выходное напряжение и ток. При проектировании стабилизаторов необходимо определить средний ток потребления Iп и максимальный ток Iпмакс по каждому каналу путем суммирования токов всех нагрузок данного канала - Iнm, Iо, Iп ОУ и др. Для определения среднего тока учитывается ток (2.2).

Стабилизаторы могут быть выполнены на интегральных микросхемах. Входное (выпрямленное) напряжение выбирают из условия:

Uв = Uвх = (Uвых+Uмин) ×(1+ Кн +Кп) (7.1)

где Кн =0,1 - коэффициент нестабильности сети,

Кп - коэффициент пульсаций,

Uмин - минимальное напряжение на стабилизаторе.

Uв = Uвх = (В) (7.2)

Рис. 7.1 Интегральный стабилизатор КР1179 с повышенным выходным током и регулируемым выходным напряжением (для - Е)

Выбираем интегральный стабилизатор DA1 [9]: КР1179ЕН15.

Параметры выбранного интегрального стабилизатора:

Uвых = -150.3 (В);

Uмин = 2.5 (В);

Iпст 3 (мА);

Uвх (В) = 18.6 (В);

Iвых = 1.5 (А).

Выберем транзистор VT1 по предельно-допустимым параметрам:

(В) (7.3)

(А) (7.4)

(Вт) (7.5)

Выбираем транзистор VT

1 (

VT

8)

[3]: КТ819

A

(

n

-

p

-

n

)

Параметры выбранного транзистора:

Uкэmax = -25 (В);

Iкmax = 10 (А);

Pкmax = 60 (Вт);

Qпер.макс = 150 ();

b = h21э = 15.

Rтп-к (Rтп-с)=1.67 (c/Вт)

Определяем значения резисторов.

(Ом) (7.6)

Резисторы R2 и R3 выбираем из соотношений:

(7.7)

R3:

(Ом) (7.8)

Выразив из выражения (7.7) сопротивление R2, получаем:

(кОм) 3,5 (кОм)

Выбираем резисторы R1, R2, R3 из ряда Е24 [6]:: МЛТ - 2 - 100 Ом ±5%;

R2: МЛТ - 0.125 - 3.5 кОм ±5%;

R3: СП3 - 9Б - 2 кОм ±10%.

Выбираем конденсаторы С1, С2, С3 [4]:

С1: К50 - 16 - 25 В - 30 мкФ 10%;

C2: К53 - 16 - 32 В - 0.01 мкФ 10%;

C3: К50 - 6 - 25 В - 10 мкФ 10%.

Расчёт площади теплоотвода:

Определим требуемое общее тепловое сопротивление:

(град / Вт) (7.10)

Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих:

RТ = RТП-к + RТкТ + RТТс, (7.11)

где RТкТ - тепловое сопротивление корпус транзистора - теплоотвод;

RТТс - тепловое сопротивление теплоотвод - окружающая среда;

RТП-к - тепловое сопротивление коллекторный переход - корпус.

Для определения RТП-к построим график рис. 7.2:

Рис. 7.2 Зависимость Ркмакс (Т)

, (7.12)

где Кт - коэффициент, зависящий от условий теплообмена радиатора с окружающей средой.

.

Из (7.12) выражаем Sт учитывая Кт: . (7.13)

Перейти на страницу: 1 2

Еще статьи по технике и технологиям

Разработка усилителей мощности СВЧ диапазона
Дипломная работа посвящена рассмотрению основ проектирования и построения усилителей мощности СВЧ диапазона. Стимулом к разработке данной темы послужил тот факт, что к настоящему времени техника СВЧ обладает наибольшими перспективами р ...

Способы увеличения пропускной способности оптических волокон
В настоящее время телекоммуникационная индустрия претерпевает беспрецедентные изменения, связанные с переходом от голосоориентированных систем к системам передачи данных, что является следствием бурного развития Internet технологий и ...

© 2019 | www.techexpose.ru