Резисторы, включенные параллельно эмиттерным переходам предоконечных транзисторов, предотвращают режим обрыва базы выходных транзисторов при запирании предоконечных транзисторов и рассчитываются по формуле:
.
(4.1)
Резисторы R3 и R4 выберем от100-500 (Ом);
R3=500 (Ом) (4.2)
R4=500 (Ом) (4.3)
Выбираем R3, R4 - МЛТ резисторы из ряда Е96 [4]:
МЛТ - 0.5 - 500 Ом ±5%.
Определим входной ток выходных транзисторов VT4-5:
(А) (4.4)
Выберем предоконечные транзисторы по предельно-допустимым параметрам:
(А) (4.5)
(В) (4.6)
(Вт) (4.7)
Выбираем комплементарную пару n-p-n и p-n-p транзисторов [5], имеющих близкие параметры:
Параметры транзисторa:
VT2: КТ660A (n-p-n)
Uкэmax = 45 (В);
Iкmax = 0.8 (А);
Pкmax = 1 (Вт);
Uотп2=0,4 (В);
b = h21э = 100 - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Параметры транзисторa:
VT3: КТ639A (p-n-p)
Uкэmax = 45 (В);
Iкmax = 1.5 (А);
Pкmax = 1 (Вт);
Uотп3=0,4 (В);
b = h21э = 100 - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
После выбора предоконечных транзисторов определяем входной ток усилителя мощности:
(мA), (4.8)
где R - сопротивление резистора, включенного параллельно эмиттерному переходу.
Достаточным усиление по току можно считать в том случае, если Iвхm £ 5мА, что соответствует типовому значению выходного тока ОУ.
Т.к. Iвхm < 5мА усиление по току в данном случае можно считать достаточным, что соответствует типовому значению выходного тока ОУ.
Выбираем транзистор VT1 [3]: КТ316А (n-p-n)
Параметры выбранного транзистора:
Uкэmax = 10 (В);
Iкmax = 10 (мА);
Pкmax = 150 (мВт);
b = h21э = 50 - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Uбэ = 0.6 (В)
Назначение цепи смещения - уменьшение свойственных классу В переходных искажений путем нейтрализация зоны нечувствительности двухтактных выходных каскадов.
Напряжение Uкэ транзистора VT1 (рис. 4.2) устанавливаем равным
Uкэ1=Uсм=UБЭотп2+½UБЭотп3½+UБЭотп4+½UБЭотп5½ (4.13)
где UБЭотп - напряжение отпирания транзисторов.
Uкэ1=Uсм =0.4+0.4+0.6+0.6=2 (В) (4.14)
Транзистор VT1 (рис. 4.2) включен по схеме с коллекторной стабилизацией - с отрицательной обратной связью по напряжению Uкэ. Напряжение на нем:
. (4.15)
Определив требуемое значение Uсм и задавшись R2=1кОм, рассчитываем R1. В качестве R1 выбираем подстроечные резисторы примерно удвоенного номинала, чтобы иметь возможность перекрыть погрешности расчетов, вызванные неопределенностью учитываемых характеристик транзисторов.
(Ом)
4.7 (кОм) (4.16)
Выбираем R2 - МЛТ резистор из ряда Е24 [6]:
МЛТ - 0.125 - 1 кОм ±5%.
Выбираем R1 - подстроечный резистор из ряда Е24 [6]:
СП3 - 16В - 4.7кОм10%
Замена источника тока:
Источники тока Io обеспечивают режим стабилизации Uсм и их величина должна быть не менее тока (4.8):
Io ³ Iвхm. (4.17)
Схема источника тока приведена на рис. 4.3 (a, n-p-n б, p-n-p) Ток Io - это ток коллектора VT1, включенного по схеме с фиксированным потенциалом базы (резисторы R1-R2), эмиттерной стабилизацией (R3) и термокомпенсацией (VD1). Потенциал базы UБ для сохранения активного режима транзистора должен удовлетворять условию:
Uб ³ Uнm+0.5×Uсм. (4.18)
Uб ³ 9+0.5×2=10 (В) (4.19)
Рис. 4.3, a Схема источника тока.
Выбираем транзистор VT1 (рис. 4.3, а) по предельным параметрам:
Uкэ > 2Е = 26 (В) (4.20)
Iк > Iо = 4.155 (мА) (4.21)
Реверсивный тиристорный преобразователь для электроприводов постоянного тока
Электропривод на основе двигателей постоянного тока используется в
различных отраслях промышленности - металлургии, машиностроении, химической,
угольной, деревообрабатывающей и др. Развитие электропривода направлено на
создание высокоп ...
Коды и устройства помехоустойчивого кодирования информации
В настоящие время обеспечение высокой достоверности передачи,
обработки и хранения информации является актуальной задачей теории и практики
электросвязи. Эффективным способом решения данной проблемы является
использование избыточного ...