Технические разделы

Физическое тестирование

0xff; Wait ~4ms @ 20 MHz COUNTER

lil20xFFdelayDelayXCyclesCOUNTER,Flil2b'00110000'; #2 Send control sequencetemp_wrSTATUS,CLCDWriteNibble0xFF; Wait ~100us @ 20 MHzdelayDelayXCyclesb'0011000'; #3 Send control sequencetemp_wrSTATUS,CLCDWriteNibble

;test delay0xFF; Wait ~100us @ 20 MHzdelayDelayXCyclesb'00100000'; #4 set 4-bittemp_wrSTATUS,CLCDWriteNibbleLCDBusy; Busy?b'00101000'; #5 Function settemp_wri_writeb'00001101'; #6 Display = ON temp_wr

rcall i_writeb'00000001'; #7 Display Cleartemp_wri_writeb'00000110'; #8 Entry Modetemp_wri_writeb'10000000'; DDRAM addresss 0000temp_wri_write;b'00000010';home;temp_wr;i_writeLCDInit;

_ ;_>--< ;

_;\ _;

; / \ _;

_ ; _>--------------< ;STATUS, C; Set the register selectLCD_RSSTATUS, CLCD_RSLCD_RW; Set write modeLCD_D4_DIR; Set data bits to outputsLCD_D5_DIRLCD_D6_DIRLCD_D7_DIR; Small delayLCD_E; Setup to clock datatemp_wr, 7; Set high nibbleLCD_D7temp_wr, 7LCD_D7temp_wr, 6LCD_D6temp_wr, 6LCD_D6temp_wr, 5LCD_D5temp_wr, 5LCD_D5temp_wr, 4LCD_D4temp_wr, 4LCD_D4LCD_E; Send the data;LCDBusyLCDWriteNibbletemp_wr,FLCDWriteNibble

ПРИЛОЖЕНИЕ В. Подключаемый файл с описанием функций (продолжение)

swapf temp_wr,FLCDWrite;

_ _; _>--< _;

; _/;

; / \ / \ ;

_ _; _>--------------< >--------------< _;LCD_D4_DIR; Set data bits to inputsLCD_D5_DIRLCD_D6_DIRLCD_D7_DIRSTATUS, C; Set the register selectLCD_RSSTATUS, CLCD_RSLCD_RW; Read = 1LCD_E; Setup to clock dataLCD_D7 ; Get high nibbletemp_rd, 7LCD_D7temp_rd, 7LCD_D6temp_rd, 6LCD_D6temp_rd, 6LCD_D5temp_rd, 5LCD_D5temp_rd, 5LCD_D4temp_rd, 4LCD_D4temp_rd, 4LCD_E; Finished reading the dataLCD_E; Setup to clock dataLCD_D7; Get low nibbletemp_rd, 3LCD_D7temp_rd, 3LCD_D6 temp_rd, 2

btfsc LCD_D6temp_rd, 2LCD_D5temp_rd, 1LCD_D5temp_rd, 1LCD_D4temp_rd, 0LCD_D4temp_rd, 0LCD_E; Finished reading the data;BFLCD_INStemp_rd, 7LCDBusyLCDBusydelay,FDelayXCycles

Перейти на страницу: 1 2 3 4 

Еще статьи по технике и технологиям

Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник
Основной задачей курсовой работы по дисциплине «Физика полупроводников и диэлектриков» является выяснение физической сущности явлений и процессов, лежащих в основе работы различных полупроводниковых структур и дискретных полупроводнико ...

Расчет основных параметров и структурная схема супергетеродинного приёмника
) Составить структурную схему в соответствии с техническим заданием. ) Определить значение ЗК. ) Оценить избирательность ВЦ по ПЧ. ) Рассчитать необходимое кол-во каскадов УВЧ и коэффициент усиления УПЧ из условия, что уро ...

© 2019 | www.techexpose.ru