Технические разделы

Схема установки

Для исследования генерационных характеристик лазера была собрана экспериментальная установка Рис.9.Накачка осуществлялась лазерной диодной линейкой с волоконным выходом FAP800 (1). Кристалл YAlO3: Tm3+устанавливался в медный корпус, температура которого регулировалась в диапазоне 10° - 24° С с помощью элемента Пельтье.

Рис.9. Схема эксперимента: 1 - линейка лазерных диодов, 2 - оптическое волокно, 3 - фокусирующая система, 4 - дихроичное зеркало, 5 - выходное зеркало, 6 - фильтрующее зеркало, 7 - измеритель мощности, 8 - экран, 9 - диафрагма, 10 - образец кристалла.

Излучение накачки фокусировалось системой линз (3), обеспечивающей перенос изображения в соотношении 1:1 с торца волокна (пятно диаметром 400 мкм) в кристалл Tm:YAP. Резонатор лазера образован дихроичным зеркалом (4) (T = 91% на длине волны 790 нм; T = 0,1% на длине волны 1,9 мкм) и выходным зеркалом (5)(T = 23% на длине волны генерации). Диафрагма (9) служила для экранирования части пучка накачки. Фильтрующее зеркало (6) отражало излучение накачки и пропускало излучение генерации.

Еще статьи по технике и технологиям

Технический контроль электронной подстанции с опорно–транзитной станцией в системе коммутации DX-200
Современный этап развития телефонных сетей связи в нашей стране характеризуется переходом к новому поколению систем коммутации с распределенным управлением на базе серийно выпускаемых микро - ЭВМ и на базе специализированных процессов. ...

Функциональный и качественный анализ работы линейных систем автоматического управления
Дано: Общая расчетная схема системы автоматического управления: Хвх Хвых - - Ди ...

© 2019 | www.techexpose.ru