Выбор ИМС для реализации синтеза устройства управления семисегментным индикатором

управление индикатор счетчик микросхема

В зависимости от технологии изготовления ИС подразделяются на серии, различающиеся физическими параметрами базовых элементов, также числом и функциональным назначением входящих в их состав микросхем. В настоящее время разработано несколько десятков технологий изготовления ИС. Наиболее широкое применение находят ИС изготовляемые по ТТЛ-, КМОП- и n-МОП-технологии. Каждая технология непрерывно совершенствуется с целью увеличения быстродействия ИС, уменьшения потребляемой мощности и увеличение степени интеграции - числа элементов, размещаемых на кристалле заданной площади.[2]

Для выбора и сравнения серий микросхем возьмём серии 1533 и 1554 так как это наиболее новые серии и они имеют наиболее совершенные параметры и характеристики.

Серия 1533

Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии КР1533 предназначены для организации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, временного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравнению с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минимальным значением произведения быстродействия на рассеиваемую мощность.

Зарубежным аналогом является серия 5М74LS5хххх фирмы Техas Instruments (США).

Микросхемы изготавливаются по усовершенствованной эпитаксиально-планарной технологии с диодами Шоттки и окисной изоляцией, одно- и двухуровневой метархаизированной разводкой на основе ПБ1-Т1/У-А181.

Конструктивно микросхемы серии КР1533 выполнены в 14-, 16-, 20- и 24-выводных стандартных пластмассовых корпусах типа 201.14-1, 238.16-1, 2140.20-8, 2142.24-2. [3]

Технические характеристики:

Напряжение питания 5,0 В ±10%

Задержка 4 нс

Мощность потребления 1 мВт

Тактовая частота до 70 МГц

Выходной ток нагрузки низкого уровня до 24 мА

Выходной ток нагрузки высокого уровня до -15 мА

Гарантированные статические и динамические характеристики при емкости нагрузки 50 пФ в диапазоне температур от -10еС до +70°С и напряжений питания 5 В±10%

Устойчивость к статическому электричеству до 200 В

Широкий набор типономиналов микросхем

Серия 1554

Быстродействующие цифровые логические КМОП микросхемы серии КР1554 предназначены для использования в высокопроизводительных системах обработки информации широкого применения. Высокое быстродействие в сочетании с низкой потребляемой мощностью и большой нагрузочной способностью, широкий набор интерфейсных микросхем серии КР1554 позволяют создавать вычислительные устройства и устройства цифровой автоматики с качественно новыми характеристиками и высокими технико-экономическими показателями.

Микросхемы изготавливаются по КМОП технологии с окисной изоляцией, двухуровневой металлизацией, поликремневым затвором шириной 1,4 мкм. Конструктивно микросхемы оформлены в пластмассовые корпуса типа П1Р с шагом 2,5 мм, с количеством выводов от 14 до 24 и стандартным расположением выводов "питание", "земля".

Зарубежный аналог - серия 74АСххх "FАСТ" фирмы "NATIONAL" (США). [3]

Технические характеристики:

Стандартные КМОП входные и выходные уровни сигналов

Диапазон напряжений питания 2В - 6В

Задержка 3,5 нс

Тактовая частота до 150 МГц

Большой выходной ток нагрузки низкого и высокого уровней 24 мА

Гарантированные характеристики в диапазоне температур от -45°С до +55 °С

и напряжений питания 5В±10%, 3,3±0,ЗВ

Высокая устойчивость к статическому электричеству.

Сравнительные характеристики основных параметров ТТЛШ и КМОП серий представлены в таблице 2. [3]

Таблица 2

Еще статьи по технике и технологиям

Структура и функции программного обеспечения ККС
Корпоративная сеть - сеть построенная с использованием различных топологий и объединяющая разрозненные офисы в единую сетевую систему. Часто, корпоративные сети в качестве канала передачи данных используют интернет, несмотря на это, до ...

Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник
Основной задачей курсовой работы по дисциплине «Физика полупроводников и диэлектриков» является выяснение физической сущности явлений и процессов, лежащих в основе работы различных полупроводниковых структур и дискретных полупроводнико ...