Расчет необходимых электрофизических характеристик полупроводниковой структуры

) Энергетическая диаграмма МДП-структуры в режиме сильной инверсии представлена на рисунке 10. В «глубине» полупроводника выполняется условие электрической нейтральности, поэтому там границы зон горизонтальны (не искривлены). Искривление границ происходит в областях, где имеется заряд из-за нарушения условия электрической нейтральности[2].

Рисунок 10 - Энергетическая диаграмма МДП-структурыв режиме сильной инверсии

) Величину дифференциальной емкости МДП-структуры можно рассчитать по формуле (33). Для этого посчитаем максимальную толщину обедненного слоя в приповерхностной области МДП-структуры по формуле (30):

Еще статьи по технике и технологиям

Характеристика сетей и технологий Х.25
глобальная сеть коммутация пакет В 1976 году был принят стандарт X.25, который стал основой всемирной системы PSPDN (Packet-Switched Public Data Networks), базирующейся на 7-уровневой модели ISO OSI(Open System Interconnection). Стан ...

Разработка цифрового тахометра на базе микроконтроллер ATtiny2313
Современный этап развития научно-технического прогресса характеризуется широким применением электроники и микроэлектроники во всех сферах жизни и деятельности человека. Важную роль при этом сыграло появление и быстрое соверше ...