Технические разделы

Расчет необходимых электрофизических характеристик полупроводниковой структуры

) Энергетическая диаграмма МДП-структуры в режиме сильной инверсии представлена на рисунке 10. В «глубине» полупроводника выполняется условие электрической нейтральности, поэтому там границы зон горизонтальны (не искривлены). Искривление границ происходит в областях, где имеется заряд из-за нарушения условия электрической нейтральности[2].

Рисунок 10 - Энергетическая диаграмма МДП-структурыв режиме сильной инверсии

) Величину дифференциальной емкости МДП-структуры можно рассчитать по формуле (33). Для этого посчитаем максимальную толщину обедненного слоя в приповерхностной области МДП-структуры по формуле (30):

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 

Еще статьи по технике и технологиям

Синтез систем автоматизированного управления
Автоматическое управление в технике, совокупность действий, направленных на поддержание или улучшение функционирования управляемого объекта без непосредственного участия человека в соответствии с заданной целью управления. Автоматическ ...

Расчет оптимальной динамической настройки и анализ переходных процессов двухконтурной САР
Основу современной энергетики составляют крупные тепловые электрические станции (ТЭС). Трудоёмкие процессы, связанные с производством и распределением тепловой и электрической энергии на современных ТЭС, в основном механизированы, и тр ...

© 2020 | www.techexpose.ru