) Так как по формуле (18):
Следовательно, ширину р-n-перехода находим по формуле:
) Барьерную емкость р-n-перехода находим по формуле (14):
) Ток диода при прямом напряжении находим по формуле (6), где ток насыщения найден в задании №1.
А
5) Напряжение пробоя находим по формуле (18):
4) Энергетическая диаграмма р-n-перехода при наличии обратного напряжения:
Рисунок 7-Энергетическая диаграмма р-n-перехода при наличии обратного напряжения
Задание №5
Контакт металл-полупроводник. Рассчитать и построить ВАХ контакта металл-полупроводник на основекремния с концентрацией примеси, равной N, при заданной температуре Т.
Исходные данные:
Температура ;
Концентрация примеси ;
Работа выхода электронов из металла(W) ;
Напряжение смещения .
При этом необходимо определить:
) Контактную разность потенциалов и высоту барьера Шоттки;
) Толщину обедненного слоя полупроводника Wв равновесном состоянии;
) Величину диффузионной и дрейфовой составляющей скорости электронов при протекании тока через контакт металл-полупроводник, на основе чего выбрать выражение для расчета ВАХ;
) Барьерную емкость контакта металл-полупроводник при обратном напряжении смещения Ucm;
) Оценить вероятность туннелирования электронов с энергиейЕ, сквозь барьер при заданном прямом напряжении смещения Uсм. Площадь контакта металл-полупроводник считать .
Решение:
) Контактная разность потенциалов найдена в задании №2: .Высоту барьера Шоттки находим по формуле (20):
) Толщину обедненного слоя полупроводника находим по формуле (23):
3) Дрейфовую составляющую скорости электронов найдем по формуле:, гдеЕ находится из следующего соотношения
Коэффициенты диффузии найдем по формулам:
Вольт-амперная характеристика может быть описана следующим выражением , где
- диффузионная составляющая тока, а
- дрейфовая составляющая.
Умный дом
Любое здание - будь-то административное, производственное или жилое
состоит из некоторого набора подсистем, отвечающих за выполнение определенных
функций, которые решают различные задачи в процессе функционирования этого
здания. По мер ...
Разработка цифрового вольтметра
Современный этап научно-технического прогресса характеризуется
повсеместным внедрением принципиально новой техники. Ускорение
научно-технического прогресса в значительной степени зависит от успехов
современной микроэлектроники, я ...