Технические разделы

Структура металл-полупроводник

а) Скорость дрейфа носителей заряда в обедненной области полупроводника можно найти по формуле:

(19)

где ξ0 максимальное значение напряженности электрического поля в полупроводнике в области барьера Шоттки.

б) Высота барьера Шоттки:

для структуры металл-кремний n-типа проводимости:

(20)

для структуры металл-кремний р-типа проводимости:

(21)

в) Максимальное значение напряженности электрического поля в полупроводнике рассчитывается по формуле:

(22)

при условии U = 0, где W - толщина обедненного слоя полупроводника, U - напряжение смещения, т.е. .

В условиях равновесия Wопределяется выражением:

(23)

где N - концентрация основных носителей заряда в полупроводнике.

Если υD>> υRто справедлива теория термоэлектронной эмиссии.

В том случае, когда υD<<υR определяющим является процесс диффузии.

г) Барьерная емкость контакта металл-полупроводник определяется по формуле:

(24)

где А - площадь контакта металл-полупроводник.

Еще статьи по технике и технологиям

Схема магнитного контроллера К
Целью данной курсовой работы является преобразование релейно-контактной схемы управления механизмом подъема крана, с использованием силового магнитного контроллера К. Преобразования требуется произвести с сохранением условий работы сх ...

Аналоговые АТС
В районе обслуживания АТСК за t лет произошло N=2210 отказов. В 73 случаях связь восстановили за 8.0 часов, в 84 - за 5.0 часов, в 182Х - за 3.0 часов, в 213 - за 2.0 часов, в 287 - за 1.0 часов, в 531 - за 0.8 часов, в 840 - за 0.5 ...

© 2021 | www.techexpose.ru