Технические разделы

Структура металл-полупроводник

а) Скорость дрейфа носителей заряда в обедненной области полупроводника можно найти по формуле:

(19)

где ξ0 максимальное значение напряженности электрического поля в полупроводнике в области барьера Шоттки.

б) Высота барьера Шоттки:

для структуры металл-кремний n-типа проводимости:

(20)

для структуры металл-кремний р-типа проводимости:

(21)

в) Максимальное значение напряженности электрического поля в полупроводнике рассчитывается по формуле:

(22)

при условии U = 0, где W - толщина обедненного слоя полупроводника, U - напряжение смещения, т.е. .

В условиях равновесия Wопределяется выражением:

(23)

где N - концентрация основных носителей заряда в полупроводнике.

Если υD>> υRто справедлива теория термоэлектронной эмиссии.

В том случае, когда υD<<υR определяющим является процесс диффузии.

г) Барьерная емкость контакта металл-полупроводник определяется по формуле:

(24)

где А - площадь контакта металл-полупроводник.

Еще статьи по технике и технологиям

Создание схемотехнической модели радиоприемной системы, сочетающей в себе все аспекты направлений развития современной радиоэлектронной аппаратуры
Приемники профессиональной связи нашли свое применение среди многообразия современной техники. В течение многих лет существенно изменяются и продолжают изменяться устройства связи. Уменьшаются габариты, повышается надёжность, улучшаютс ...

Система автоматического регулирования
регулятор система автоматический Одной из центральных задач теории автоматического управления является задача синтеза систем, в результате решения которой определяется состав, структура САУ и параметры всех ее устройств из условия удовле ...

© 2021 | www.techexpose.ru