Технические разделы

Определение показателей безотказности РЭУ.

Интегральные микросхемы:

Для определения коэффициента КИС, учитывающего количество элемен - тов в ИМС, можно воспользоваться математической моделью:

где A, S - постоянные коэффициенты модели [3, табл, 5,4];- количество элементов в ИМС,

Значения коэффициента Кt могут быть получены по выражению

где B - константа, зависящая от функционального назначения ИМС;окр - температура среды, окружающей ИМС, ºС,

Значение tокр может определяться по выражению

где tраб max - верхнее значение рабочей температуры РЭУ;

∆tЗ - перегрев в нагретой зоне конструкции РЭУ,

Резисторы:

Значения коэффициента КР рассчитывают по модели

где КН - коэффициент электрической нагрузки резистора по мощности;окр - температура окружающей среды (корпуса элемента), ºС;, B, NT, G, NS, J, H - постоянные коэффициенты

Соединители:

Значения КР определяют по модели

где tп - температура перегрева контактов по ТУ при максимальной токовой на - грузке, по ТУ tп = 10…30 ºС;окр - температура окружающей среды, ºС;

КН - коэффициент электрической нагрузки по току.

Значения коэффициента, учитывающего влияние на надежность соединителя количества задействованных контактов N, могут быть рассчитаны как

Значения коэффициента, учитывающего влияние на надежность соедини - теля количества сочленений-расчленений n, рассчитываются по модели

Платы со сквозными МО

Значения коэффициента Кt рассчитывают по модели

Еще статьи по технике и технологиям

Типовая микропроцессорная система охраны и сигнализации
Системы охраны и сигнализации на основе микропроцессорного управления в настоящее время являются наиболее распространенным типом охранных устройств автомобилей. Причиной этому служит большая гибкость управления и лёгкая адаптация к внешним ...

Характеристика сетей и технологий Х.25
глобальная сеть коммутация пакет В 1976 году был принят стандарт X.25, который стал основой всемирной системы PSPDN (Packet-Switched Public Data Networks), базирующейся на 7-уровневой модели ISO OSI(Open System Interconnection). Стан ...

© 2020 | www.techexpose.ru