Технические разделы

Разработка аналоговой схемы

Генератор синусоидальных колебаний предназначен для питания электромагнитного датчика (рисунок 3.1)

Рисунок 3.1 - Схема генератора синусоидальных колебаний

Для нахождения необходимой амплитуды генератора по данным Т3 (технического задания) необходимо падение напряжения на датчике, т. Выходного напряжения генератора.

Дано: Ig и Zg.

Uг= Ig* Zg= Ig(Rм+Rп//jXl); (3.1)

Uг=10*10-3*(100+)= 10*10-3*(100+)=

*10-3*(0.0049+j49.99)=0.00049+j4.999=4.99ej89.99;

Схема генератора дана на рисунке 3.1. Он реализован с использованием последовательно - параллельной фазосдвигающей цепи[2]. Элементы R-C.

В качестве нелинейного элемента, обеспечивающий баланс амплитуд(устойчивою работу) используются диоды VD1, VD2. Транзисторы VT1, VT2 включенные как эмитторные повторители, необходимы для усиления входного тока генератора.

Частота генератора находится из след соображений [2]

(3.2)

где RC - элементы последовательно - параллельной фазосдвигающей цепи.

Резисторы R1 , R2 обеспечивают необходимый коэффициент усиления.

Если на выходе генератора задано напряжение Uг , то на инвертирующий вход подается напряжение, через делитель R2 , R1 Uг-Uд ,

где Uд падение напряжения на открытом диоде. Тогда для обеспечения баланса амплитуд необходимо, чтобы выполнялось равенство:

U+=U-; (3.3)

(3.4)

У ОУ общего применения Максимальный ток в нагрузке не более: Iоу= 5 мА. Если потребляемый ток больше Iоу, то находим коэффициент усиления по току в, для транзисторов VT1,VT2.

(3.5)

Максимальное напряжение Uкэ для этих транзисторов должно быть больше чем 2Eп. Uкэ30В. Полоса пропускания ОУ должна быть больше чем - рабочая частота возбуждения датчика.

Iм= 10мА; 125600с-1; Uг=5В;

Находим:

0.000007961; (3.6)

Задаемся R=10кОм, находим С:

(3.7)

Выбираем резисторы [6] R3 , R4 - металлодиэлектрические С2-29В:

R3 - C2-29 - 0.62Вт - 10 кОм ±0.1%-A

R4 - C2-29 - 0.62Вт - 10 кОм ±0.1%-A

Выбираем конденсаторы [7] C1, C2 с с полиэтилентерофталатным диэлектриком с фольговыми обкладками:

C1 - К73 - 15 - 100В - 0.806нФ ±5%

C2 - К73 - 15 - 100В - 0.806нФ ±5%

Перейти на страницу: 1 2 3

Еще статьи по технике и технологиям

Способы и методы добывания информации о демаскирующих способах объектов защиты
Защита от технических средств разведки (TCP) является неотъемлемой и составляющей частью научной и производственной деятельности предприятий, учреждений и организаций оборонной промышленности, а также обеспечения боевой деятельности в ...

Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник
Основной задачей курсовой работы по дисциплине «Физика полупроводников и диэлектриков» является выяснение физической сущности явлений и процессов, лежащих в основе работы различных полупроводниковых структур и дискретных полупроводнико ...

© 2021 | www.techexpose.ru