Технические разделы

Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник

Основной задачей курсовой работы по дисциплине «Физика полупроводников и диэлектриков» является выяснение физической сущности явлений и процессов, лежащих в основе работы различных полупроводниковых структур и дискретных полупроводниковых приборов, а также элементов интегральных микросхем (ИМС); приобретение практических навыков расчета электрофизических характеристик полупроводниковых структур; ознакомление со значениями параметров полупроводниковых материалов и их размерностями и развитие навыков самостоятельной работы с научно-технической литературой.

Тема данной курсовой работы является актуальной, так как современный научно-технический прогресс неразрывно связан с расширением масштабов применения радиотехнических систем и систем телекоммуникаций. Составной частью этих систем является радиоэлектронная аппаратура, содержащая огромное количество радиокомпонентов. Полупроводниковая электроника интенсивно развивалась уже с начала 30-х годов. Ученые исследовали физические процессы в полупроводниках и влияние примесей на эти процессы. Была разработана квантовая теория полупроводников, введено понятие подвижных свободных мест кристаллической решетки полупроводника, получивших название дырок, создана теория генерации пар «электрон-дырка». В 60-х годах были созданы первые интегральные схемы. Интегральные микросхемы предназначены для реализации подавляющего большинства аппаратурных функций. Их элементы выполнены и объединены внутри или на поверхности общей подложки, электрически соединены между собой и заключены в единый корпус. Все или часть элементов создаются в едином технологическом процессе с использованием групповых методов изготовления. А в конце 70-х годов появились сверхбольшие интегральные схемы (СБИС), содержащие от 104 до 106 элементов на кристалле при размере элементов от 1 до 3 мкм [3].

Развитие радиотехники продолжается и по сегодняшний день, и будет продолжать совершенствоваться в будущем.

Еще статьи по технике и технологиям

Расчет параметров аналого-цифрового преобразователя с неравномерной характеристикой квантования для телефонных каналов
В связи с цифровизацией сетей связи на сегодняшний день является актуальным вопрос проектирования и разработки новых улучшенных цифровых систем передачи. Для получения навыков в проектировании цифровых систем передачи необходимо ра ...

Разработка цифрового тахометра, измеряющего в диапазоне от 1200 до 6000 обмин с погрешностью 0.2 %
Целью этого курсового проекта является разработка цифрового тахометра измеряющего в диапазоне от 1200 до 6000 об/мин с погрешностью 0.2 % от измеряемой величины. Реализации цифрового тахометра предполагается на микросхемах серии К555. ...

© 2018 | www.techexpose.ru