Технические разделы

Расчет линейной электрической цепи при гармоническом воздействии

1. Каждому студенту в соответствии со своим порядковым номером по журналу выбрать вариант схему (Рис.1). Различные конфигурации схемы образуются с зависимости от положения ключей "K1"-"K5", которые устанавливаются по номеру варианта, представленному в двоичном коде. Номера позиций единиц и нулей в номере варианта читаются слева направо.

. Определить величины элементов схемы (Рис.1) и частоту генераторов с помощью следующих формул:

[Ом]

[Пф]

[В]

[кГц]

где N - порядковый номер студента, n - номер элемента в схеме.

. В схеме, полученной в п.1.1 исключить (замкнуть) все источники, кроме E1, и рассчитать, используя простые преобразования цепей, ток в цепи источника E1. По результатам расчета построить векторную диаграмму.

Рис. 1 - Схема электрической цепи для выбора варианта

4. Используя схему п.1.1, рассчитать токи и напряжения на ее элементах, используя формулы Крамера, а так же обращение матриц. Осуществить проверку.

. Для схемы из п.1.3 найти выражение для комплексного коэффициента передачи электрической цепи.

. Используя формулу для комплексного коэффициента передачи электрической цепи, определить выражение для АЧХ и ФЧХ цепи.

. Построить, используя выражения из п.1.6, графики для АЧХ и ФЧХ цепи.

. Определить граничные частоты полосы пропускания и коэффициент прямоугольности цепи, используя результаты из п.1.7.

. Дать характеристику исследуемой цепи по п.1.3 с точки зрения фильтрации электрических колебаний.

Еще статьи по технике и технологиям

Расходомер на основе электромагнитного датчика расхода
В последние годы в микроэлектронике бурное развитие получило направление, связанное с выпуском однокристальных микроконтроллеров, которые предназначены для "интеллектуализации" оборудования различного назначения. ОЭВМ предста ...

Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник
Основной задачей курсовой работы по дисциплине «Физика полупроводников и диэлектриков» является выяснение физической сущности явлений и процессов, лежащих в основе работы различных полупроводниковых структур и дискретных полупроводнико ...

© 2018 | www.techexpose.ru